摘要
本申请提供一种芯片,包括衬底及设置在衬底上的集成电路,衬底上设有围绕集成电路的密封环;密封环包括至少两圈金属圈,至少两圈金属圈依次环绕芯片的外围间隔设置;每一金属圈由金属节段、切口交替设置,相邻的两圈金属圈的切口相互错开;每一金属圈包括多层金属层和金属层之间的保护层,相邻的金属层之间通过保护层上的过孔连接,至少两个保护层上的过孔大小不同。本申请的芯片上的密封环采用多圈非连续的金属圈,将金属圈进行分段没有天线效应,与内部电路的寄生电容是各个小电容的串联,影响大幅减小;每一金属圈为多层金属层叠结构,各相邻的金属层的之间的过孔的大小不一样,形成金属的台面结构,减缓了水汽的影响。
技术关键词
金属圈
芯片
衬底
集成电路
密封环
台面结构
外圈
层叠结构
半导体材料
接触层
直线段
沟槽
长条形
分段
天线
台阶
效应
电容
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