监测NBTI效应的高精度模拟电路、芯片及IP

本发明公开了一种监测NBTI效应的高精度模拟电路、芯片及IP，属于集成电路技术领域，包括：NBTI效应监测单元、带隙基准电路和新型迟滞比较器；本发明电路结构较简单，采用模拟电路，电路中的电阻值小，具有面积小，成本低的特点；在不同工艺、温度、电源电压下，能通过输出的预警信号非常简便、精准地监测被测芯片的NBTI效应，解决了现有技术方案芯片面积大，设计复杂度高，精度低的问题。