半导体封装结构及其形成方法

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半导体封装结构及其形成方法
申请号:CN202510071537
申请日期:2025-01-16
公开号:CN119965166A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
本公开的各个实施例针对半导体封装结构,该半导体封装结构包括支撑结构,支撑结构具有与第二表面相对的第一表面。第一集成电路(IC)芯片位于支撑结构的第一表面上。盖结构位于支撑结构的第二表面上。蒸汽室设置在支撑结构中并且置于第一IC芯片的至少部分上方。本公开的实施例还提供了形成半导体封装结构的方法。
技术关键词
半导体封装结构 集成电路芯片 热界面结构 导电互连结构 盖结构 散热器结构 蒸汽 衬底 中介层 散热结构 IC芯片 工作流体 介电层 腔室
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