C2对称手性超表面及相位控制的应用、验证方法

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C2对称手性超表面及相位控制的应用、验证方法
申请号:CN202510072206
申请日期:2025-01-16
公开号:CN119620251B
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了C2对称手性超表面及相位控制的应用、验证方法,属于微纳光学领域,包括由上到下依次设置的表层、中间层和背板层,表层由中心对称布置的左弧形环和右弧形环组成,左弧形环和右弧形环相对的一侧均设置有凸起,且左弧形环上的凸起和右弧形环上的凸起关于圆心对称布置,左弧形环和右弧形环的缺口圆心角β为钝角。采用上述C2对称手性超表面及相位控制的应用、验证方法,利用无镜像对称性、具有二阶旋转(C2)对称性的超原子和其镜像原子,仅通过手性相位即可实现同极化圆偏振太赫兹波的自旋解耦相位控制。
技术关键词
右旋圆偏振光 右旋偏振光 验证方法 电磁仿真 结构单元 中间层 横向偏移量 手性 微纳光学 中心对称 仿真分析 背板 仿真模型 镜像对称 参数 线偏振
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