用于LED芯片的钝化层及其制备方法、LED芯片

本发明涉及半导体光电器件领域，具体公开了一种用于LED芯片的钝化层及其制备方法、LED芯片。其中，用于LED芯片的钝化层的制备方法包括：以第一气体与SiH4为硅源气体，以N2O为氧源气体，在PECVD中沉积氧化硅层；采用紫外光照射所述氧化硅层；其中，第一气体为N2、Ar、He中的任意一种或至少两种的混合气体。实施本发明，可提升钝化层的致密性，进而提升基于其的LED芯片的可靠性。