一种超声工艺辅助的多层芯片倒装堆叠及键合装置与工艺

本发明涉及多层芯片堆叠及键合领域，更具体的说是一种超声工艺辅助的多层芯片倒装堆叠及键合装置与工艺，步骤一：通过纵向位移台和横向位移台驱动真空堆叠吸头机构进行运动，使得真空堆叠吸头机构对芯片夹取堆叠放置在加热键合台上；步骤二：通过纵向位移台和横向位移台使得超声键合头机构运动到堆叠放置的芯片上，超声键合头机构的下方和待键合芯片缓慢接触后立刻停止；步骤三：启动加热键合台对堆叠芯片进行加热，达到指定温度值后，通过纵向位移台控制超声键合头机构施加40‑60MPa的键合预压力后，停止移动，然后启动超声键合头机构进行键合。