一种传感器芯片金属电极热防护结构及其制备方法

本发明公开了一种传感器芯片金属电极热防护结构及其制备方法，属于金属电极热防护结构技术领域。本发明的热防护结构包括：传感器基底，其上依次设置有电极缓冲层和连续多层Pt‑W电极。在这种结构中，Pt电极是在W电极上沉积的，这种沉积方式使得Pt晶体结构更加稳定。本发明通过精确控制溅射工艺来制备连续多层的Pt‑W电极，可以显著提高Pt晶体的质量，从而有效避免Pt电极在高温环境下发生二次结晶，即所谓的“团聚”现象。本发明的热防护结构能够在不影响引线键合的前提下，确保电极电阻在高温环境中不会急剧增加，从而提高了热阻式传感器在高温环境下工作的可靠性。