一种功率GaN HEMT开关动态电流特性建模方法

AITNT
正文
推荐专利
一种功率GaN HEMT开关动态电流特性建模方法
申请号:CN202510099553
申请日期:2025-01-22
公开号:CN120030962A
公开日期:2025-05-23
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种功率GaN HEMT开关动态电流特性建模方法,结合了先进的静态和递归神经网络概念,以设计出精确的模型架构。所提出的模型整合了自热效应,并耦合了三种不同的电流分量:零阶时间微分的本征电流模块、一阶时间微分的容性电流模块以及高阶时间微分的非理想电流模块,从而形成了一个全面的GaN HEMT非线性动态开关输出电流模型。在时间‑频率域精度、时间步长精度、计算效率以及模型泛化能力等多项指标相对于传统模型存在明显优势。
技术关键词
电流模型 非易失性存储介质 可执行程序代码 特性建模方法 电压 非线性 端口 模块 神经网络建模方法 沟道温度 电阻变化规律 压缩神经网络 时序神经网络 电容 递归神经网络 通信接口 动态开关 终端设备
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种72V轻电摩用保护板
电池管理芯片 插接头 接线 采集单元 信息处理单元
2
一种宽范围电流高精度测量电路
采样电阻 电流 高精度电阻 网络 通道
3
一种储能换流器多机并联控制方法、装置、设备及存储介质
储能换流器 多机并联 频率响应 计算机可执行程序 Simulink软件
4
基于回路电感的多芯片并联电流上升过程建模方法及系统
脉冲测试电路 回路 建模方法 电流 电感方法
5
一种基于注意力神经网络的PEMFC剩余寿命动态预测方法
注意力神经网络 动态预测方法 动态预测模型 数据 周期
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号