一种MEMS器件及其制造方法、电子装置

一种MEMS器件及其制造方法、电子装置，该MEMS器件包括：第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底和第二半导体衬底相键合，并在两者之间设置有器件区；还包括挡液墙结构，挡液墙结构、第一半导体衬底和第二半导体衬底合围成腔室单元，器件区对应设置于一个腔室单元内。在MEMS器件的制造过程中，即使在半导体衬底中产生了裂纹，顺着裂纹进入器件区的腐蚀性液体由于挡液墙结构的阻挡，难以在多个器件区之间进行大面积的扩散，防止大面积的器件区的金属结构被腐蚀，从而提升了整片半导体衬底的芯片良率。