半导体结构及其制造方法和芯片

本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法和芯片。该半导体结构包括：基底；所述基底包括依次层叠的衬底层、埋氧层和掺杂层；所述掺杂层包括在平行于所述基底表面方向上相互间隔第一掺杂区和第二掺杂区；控制极，位于所述基底表面，至少覆盖所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的区域；第一电极，位于所述基底表面，覆盖至少部分所述第一掺杂区；第二电极，位于所述基底表面，覆盖至少部分所述第二掺杂区。