基于双层控制策略的数据驱动直拉硅单晶生长控制方法

本发明的目的是提供基于双层控制策略的数据驱动直拉硅单晶生长控制方法，首先对直拉硅单晶生长系统中的内层热场温度控制过程进行PID控制器设计，以获取合适的加热器功率控制量，实现热场温度参考值跟踪控制；然后对直拉硅单晶生长系统中的外层晶体直径控制过程进行紧格式动态线性化CFDL，以获取CFDL数据模型；估计和预测外层控制环节的不确定性总扰动；最后设计无模型自适应预测控制律MFAPC，以实现外层晶体直径控制过程。本发明解决了现有技术中硅单晶生长过程控制技术方法难以处理热场温度参考值的在线调整问题，以及硅单晶直径控制过程中未考虑外部干扰因素所导致的晶体直径控制不精准的问题。