半导体结构的制备方法和半导体结构

本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构的制备方法和半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供芯片；在芯片的表面形成暴露出芯片的待互联位置的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，在芯片的待互联位置形成打底层，打底层覆盖待互联位置及其临接的光刻胶层的侧壁呈凹槽状；在打底层的凹槽上形成互联电极柱，互联电极柱的至少部分结构位于凹槽内；去除光刻胶层。凹槽的侧壁对互联电极柱的至少部分结构起到加固保护作用，能够更好的分散光刻胶层对互联电极柱的牵引力，从而避免互联电极柱发生断裂或倾斜，提高互联电极柱高度的均匀性，进而提高半导体结构在进行互联工艺时的可靠性。