保护膜形成膜及带保护膜的工件单颗化物的制造方法

本发明提供保护膜形成膜及使用该保护膜形成膜制造带保护膜的半导体芯片等带保护膜的工件单颗化物的方法。该保护膜形成膜能够形成可将半导体芯片等工件单颗化物上产生的热充分散热且温度变化大的环境下的粘合可靠性充分高的保护膜。该保护膜形成膜为包含填充材料的固化性的保护膜形成膜，在固化后的保护膜形成膜的平行于厚度方向的剖面中，观察将与厚度方向的厚度相同的长度作为一条边且面积为625μm2的长方形区域时，填充材料的剖面面积相对于内包填充材料的剖面的所有外周线的最小包含圆的面积的比率为0.6以上0.9以下并且填充材料的剖面的最大长度大于0.5μm的填充材料以0.08个以上/μm2且0.80个以下/μm2存在。