一种硅光芯片平台及制造方法

本发明提供一种硅光芯片平台及制造方法，涉及半导体加工技术领域，包括：自下而上依次设置的硅衬底、埋层氧化物BOX层和SiO2包层；功能器件，功能器件嵌入在SiO2包层中；第三金属电极，在SiO2包层中且位于键合区下方；介质波导，介质波导包括多层波导结构，介质波导在SiO2包层中且位于两个第三金属电极之间；异质键合层，异质键合层键合在SiO2包层的键合区处，第三金属电极、不同材料的异质键合层与介质波导构成不同功能的器件。由于该方案的硅光芯片平台基于CMOS工艺，达到了大规模量产的目的。