用于射频测量的硅基量子点芯片和射频测量结构

本公开提供了一种用于射频测量的硅基量子点芯片和射频测量结构，可以应用于半导体量子计算技术领域。该硅基量子点芯片包括：基底，包括第一定位标记区，第一定位标记区设置有至少四个离子注入区；第一绝缘层，设置于基底上；欧姆接触层，设置于每个离子注入区的外围；多个电极层，设置于第一绝缘层上，每个电极层由多个纳米级的电极组成，相邻电极层之间均设置有绝缘层，多个电极层位于电极区，电极区位于第一定位标记区所在平面投射的中心位置，电极包括源/漏电极；其中，源/漏电极连接离子注入区靠近电极区的一端，相邻两个离子注入区靠近电极区一端的距离小于或等于10μm。