一种在金刚石表面异质外延的氧化镓及其制备方法

本发明属于半导体芯片生产技术领域，具体的说是一种在金刚石表面异质外延的氧化镓及其制备方法，包括：衬底；晶体器件；所述衬底采用金刚石材料，所述晶体器件采用氧化镓材料；所述晶体器件采用异质外延技术生长在衬底表面；通过采用异质外延的技术，金刚石晶圆的制造，要求纯度高、晶相一致、杂质少、尺寸大；氧化镓也要制造出大尺寸的材料，也要和金刚石相同的尺寸，充分利用氧化镓的超低成本优势和电子迁移率、耐低温等特性和金刚石的特性结合起来，研发出新型异质结构的大功率、高散热、超低温、高频率、低价格的功率和频率芯片，实现性能非常好的功率和频率芯片；其中异质外延要设计出外延的层数、结构、材质、工艺等。