微发光二极管芯片及微发光二极管显示器件

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微发光二极管芯片及微发光二极管显示器件
申请号:CN202510127308
申请日期:2025-02-03
公开号:CN120076509A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种微发光二极管芯片及微发光二极管显示器件,包括:第一类型半导体层;堆叠的N层发光层,位于第一类型半导体层上;第二类型半导体层,位于发光层上;异质结,位于相邻的两个发光层之间。采用异质结位于相邻的发光层之间,使得位于异质结一侧发光层的价带电子,经异质结传输成为位于异质结另一侧发光层的导带电子,从而实现恒流模式下每一发光层都能够的独立的均匀发光;通过异质结实现相邻发光层的电连接,不会产生新增欧姆接触,而且异质结的材料与发光层的材料相适配以降低内阻;通过以上方式,能够有效提高微发光二极管芯片的发光强度和效率。
技术关键词
发光二极管芯片 微发光二极管 发光二极管显示器件 异质结 发光层 半导体层 量子阱层 顶部导电层 亮度 驱动芯片 元素 导带 误差 恒流 电子
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