摘要
本发明涉及一种微发光二极管芯片及微发光二极管显示器件,包括:第一类型半导体层;堆叠的N层发光层,位于第一类型半导体层上;第二类型半导体层,位于发光层上;异质结,位于相邻的两个发光层之间。采用异质结位于相邻的发光层之间,使得位于异质结一侧发光层的价带电子,经异质结传输成为位于异质结另一侧发光层的导带电子,从而实现恒流模式下每一发光层都能够的独立的均匀发光;通过异质结实现相邻发光层的电连接,不会产生新增欧姆接触,而且异质结的材料与发光层的材料相适配以降低内阻;通过以上方式,能够有效提高微发光二极管芯片的发光强度和效率。
技术关键词
发光二极管芯片
微发光二极管
发光二极管显示器件
异质结
发光层
半导体层
量子阱层
顶部导电层
亮度
驱动芯片
元素
导带
误差
恒流
电子
系统为您推荐了相关专利信息
数字孪生模型
工艺优化方法
参数
粒子群优化算法
优化控制模型
微型发光二极管芯片
台面
围墙
沟槽阵列
导电结构
预充开关
运算放大器
发光二极管显示屏
预充电电路
通道