发光二极管芯片及其制备方法、LED

本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种发光二极管芯片及其制备方法、LED，本发明提供的制备方法中，对所述非预设区域内的N型半导体层进行第二光刻处理和第二干法刻蚀，所述第二干法刻蚀所采用的刻蚀气体为CF4气体和Ar气体，以此实现了所述非预设区域的N型半导体层的Si掺杂浓度低于非所述第一区域的N型半导体层的Si掺杂浓度，对所述预设区域内的N型半导体层进行第三光刻处理和第三干法刻蚀，所述第三干法刻蚀所采用的刻蚀气体为SiCl4气体和Ar气体，以使所述预设区域的N型半导体层的Si掺杂浓度高于所述非预设区域的N型半导体层的Si掺杂浓度，本发明通过二次采用特定刻蚀气体在特定区域进行刻蚀处理，使得降低芯片电压的同时又提升芯片的亮度。