一种可保护金属电极的大面阵红外探测器芯片减薄方法

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一种可保护金属电极的大面阵红外探测器芯片减薄方法
申请号:CN202510137532
申请日期:2025-02-07
公开号:CN119584701B
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种可保护金属电极的大面阵红外探测器芯片减薄方法,属于红外探测器制备技术领域;解决了传统的背研磨抛光工艺需要先采用光刻胶保护电路,胶水固化时间长,工艺耗时较长且效率低下的问题;包括以下步骤:在芯片上生长用于保护金属电极的介质层;将芯片粘接于玻璃衬底上,并在芯片的四周贴上陪条;然后进行研磨、抛光直至达到所需芯片厚度;制作与芯片的ROIC和FPA对应的光刻版,抛光完成后将芯片从玻璃衬底上取下,然后在芯片上整体匀涂一层光刻胶,利用光刻版显影后裸露出芯片四周的金属电极,然后对芯片进行后烘;去除介质层;清洗掉表面的光刻胶;本发明可实现对探测器芯片金属电极的保护。
技术关键词
红外探测器芯片 减薄方法 金属电极 大面阵红外探测器 研磨抛光工艺 光刻胶 介质 胶水固化时间 光刻版 氧化硅 CVD设备 氮化硅材料 衬底 异丙醇 溶液 玻璃
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