一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法

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一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法
申请号:CN202510138010
申请日期:2025-02-08
公开号:CN119588675B
公开日期:2025-05-23
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,属于红外探测器制备技术领域;解决了传统清洗工艺存在残留物导致盲元增加的问题;包括以下步骤:在红外探测器芯片抛光后未取片时通过水雾冲洗红外探测器芯片抛光后的表面;在取片后,将红外探测器芯片放置在清洗工装中,通过洗涤剂结合DI水对红外探测器芯片进行擦洗;通过DI水冲洗红外探测器芯片表面;使用碱性清洗剂擦洗红外探测器芯片表面;采用DI水冲洗红外探测器芯片表面;采用有机溶剂与兆声清洗相结合的方式清洗红外探测器芯片表面;本发明应用于Ⅱ类超晶格红外探测器抛光后表面清洗。
技术关键词
红外探测器芯片 大面阵红外探测器 抛光后表面 芯片放置台 清洗方法 清洗工装 碱性清洗剂 类超晶格 谷氨酸二乙酸 洗涤剂 次氯酸钠溶液 清洗工艺 指套 镊子 凹槽 水流 碳酸钠
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