一种永磁型磁块的阵列优化方法及系统

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一种永磁型磁块的阵列优化方法及系统
申请号:CN202510139119
申请日期:2025-02-08
公开号:CN119980465A
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本发明属于太阳能级单晶硅的生产技术领域,公开一种永磁型磁块的阵列优化方法及系统,该方法包括以下步骤:基于磁拉晶需求,确定磁拉晶过程中所需的磁场类型,并计算得到目标空间位置处的目标磁场的磁通密度;根据单晶炉周围允许磁块放置的空间位置,设定磁块放置的初始位置及初始磁化方向;构建优化问题,基于磁块放置的初始位置及初始磁化方向,利用优化算法求解每个磁块最优的中心位置及磁化方向角。本发明提出了一种永磁型磁块的阵列优化方法,能够根据具体需求产生不同的磁场分布,通过特定的磁场分布控制硅熔体的流动和氧含量,从而提高太阳能级硅单晶的生长质量和效率。
技术关键词
阵列优化方法 磁块 永磁 方位角 单晶炉 磁通 太阳能级硅单晶 太阳能级单晶硅 非线性最小二乘法 控制硅熔体 密度 模拟退火算法 表达式 模块 遗传算法 磁体
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