摘要
本发明属于太阳能级单晶硅的生产技术领域,公开一种永磁型磁块的阵列优化方法及系统,该方法包括以下步骤:基于磁拉晶需求,确定磁拉晶过程中所需的磁场类型,并计算得到目标空间位置处的目标磁场的磁通密度;根据单晶炉周围允许磁块放置的空间位置,设定磁块放置的初始位置及初始磁化方向;构建优化问题,基于磁块放置的初始位置及初始磁化方向,利用优化算法求解每个磁块最优的中心位置及磁化方向角。本发明提出了一种永磁型磁块的阵列优化方法,能够根据具体需求产生不同的磁场分布,通过特定的磁场分布控制硅熔体的流动和氧含量,从而提高太阳能级硅单晶的生长质量和效率。
技术关键词
阵列优化方法
磁块
永磁
方位角
单晶炉
磁通
太阳能级硅单晶
太阳能级单晶硅
非线性最小二乘法
控制硅熔体
密度
模拟退火算法
表达式
模块
遗传算法
磁体
系统为您推荐了相关专利信息
复合周期结构
神经网络模型
特性计算方法
参数
阵列
装配式地下综合管廊
预制件
地下综合管廊技术
非磁性材料
卷筒
多波束相控阵
天线单元
DOA估计方法
相位幅度误差
矩阵