一种星载处理器SiP结构

一种星载处理器SiP结构，包括管壳结构、管芯、可伐环双腔结构；可伐环双腔结构安装在管壳结构的上表面，管壳结构的下表面底部挖腔；管芯包括SoC、SRAM、FLASH、接口芯片四种芯片；SRAM安装在可伐环双腔结构的左腔体内，FLASH和SoC安装在可伐环双腔结构的右腔体内，接口芯片安装在底部挖腔内；SoC通过数据线和地址线访问SRAM，通过地址线和数据线访问并行FLASH；SoC的功能引脚引出到管壳结构外部。采用可伐环加双腔结构，与现有其他SiP相比，器件集成密度更高，采用陶瓷封装材料，相比塑封器件可靠性更好。