摘要
本发明属于光电子器件制造技术领域,具体涉及一种红外双晶格光子晶体面射型激光器的制造方法,包括材料生长和器件制作,本发明量子阱发光层采用Al0.3Ga0.7AsSb/In0.3Ga0.7AsSb多量子阱发光层,可以实现量子垒与量子阱应力匹配,对载流子损失较少,辐射复合效率高;使用Ni、Ag金属与p‑GaSb经退火形成良好的电学导通,形成接触电阻比较低,有利于电光转换效率提升;光子晶体结构孔洞直径为160~200nm;x,y间距为等间距排列,排列间距为100~150nm,孔深度为300~500nm;经以上发明设计实现的器件,x,y双晶格结构的器件电光转换效率高,阈值功率密度为可达到1.8~1.91 kW/cm2。本发明通过结合双晶格结构和光子晶体特性,显著提升了激光器的输出效率和频率稳定性。
技术关键词
面射型激光器
晶格光子晶体
量子阱发光层
欧姆接触层
层厚度
量子阱层
生长外延结构
退火工艺
电光转换效率
光子晶体结构
光电子器件
光刻胶
间距
半导体芯片
光刻技术
基板
电极
系统为您推荐了相关专利信息
驱动背板
微型发光二极管
台面
上电极
量子阱发光层
数学模型
线宽间距
PCB板制作技术
粗糙度
信号