一种基于侧壁原位处理的Micro-LED芯片及方法

本申请提出了一种基于侧壁原位处理的Micro‑LED芯片，包括：衬底、外延层、掩膜层、氧化层、n型电极和p型电极；衬底、外延层和掩膜层由下至上依次堆叠设置；外延层的层叠结构包括n型半导体层、多量子阱发光层和p型半导体层；氧化层至少包覆蚀刻外延层形成的竖立侧壁；掩膜层上设置n型电极或p型电极，n型电极和p型电极穿透掩膜层向下延伸至外延层。通过原位氧化直接将侧壁缺陷层变为氧化物消除了侧壁缺陷同时实现了侧壁绝缘，一步取代传统方案的两步，大为简化工序，降低制造成本。