基于联邦学习的芯片制造过程参数优化方法及系统

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基于联邦学习的芯片制造过程参数优化方法及系统
申请号:CN202510143360
申请日期:2025-02-10
公开号:CN119598927B
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供基于联邦学习的芯片制造过程参数优化方法及系统,涉及芯片技术领域,包括通过采集多工厂工艺参数和良率数据,利用小波变换和双重评价筛选关键参数,构建深度Q网络模型;基于工艺轨迹相似度进行族群划分,采用差分隐私和同态加密保护数据安全,通过注意力机制和知识蒸馏实现族群优化;设置三级时间窗口监测良率,动态调整优化策略。本发明可有效提升芯片制造良率,保护数据隐私,实现工艺参数的智能优化。
技术关键词
深度Q网络 动态时间规整算法 族群 芯片 良率 关键工艺参数 元学习方法 策略 参数优化方法 滑动时间窗口 加密 矩阵 密度 注意力机制 高斯混合模型 轨迹 差分隐私
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