一种面向Micro-LED芯片巨量转移的磁驱动干粘附印章及制造方法

一种面向Micro‑LED芯片巨量转移的磁驱动干粘附印章及制造方法，磁驱动干粘附印章包含两层结构，表层为干粘附结构层，底层为磁驱动结构层，干粘附结构层表面具有阵列分布的蘑菇形末端结构，磁驱动结构层具有均匀分布的若干型腔，型腔内填充有流态磁性复材。制造方法是先制备流态磁性复材，再使用干法刻蚀、翻模及模塑旋涂工艺制备预固化磁驱动结构层，然后利用光刻、倒模及热压进行仿生干粘附模具的制备及处理，最后进行干粘附结构层与预固化磁驱动结构层的组装。本发明磁驱动干粘附印章集成了壁虎仿生干粘附效应与磁致伸缩效应，可实现Micro‑LED芯片高强度可靠拾取与零粘附精准释放的有机统一，破除了常规范德华力巨量转移技术需复杂前/后期准备工艺的壁垒。