一种深紫外LED封装结构及其制备方法

本发明提供一种深紫外LED封装结构及其制备方法，其中封装结构包括：三维陶瓷基板，具有凹槽，所述的凹槽具有底部、内侧壁和上表面；深紫外LED芯片，安装在所述三维陶瓷基板的凹槽底部；氟树脂，填充在三维陶瓷基板的凹槽内，并且覆盖在所述的深紫外LED芯片的上表面和侧壁周围，所述的氟树脂为羧基化的氟树脂；光学透镜，安装在深紫外LED芯片和氟树脂之上，并且边缘固定于三维陶瓷基板的上表面上或者侧壁上。通过使用氟树脂和光学透镜来辅助实现光子的提取和汇聚，提升器件在紫外灭活等领域的应用效果，并通过氟树脂的粘附性，提升封装结构的可靠性，并同时提升出光效率和降低成本。