一种高灵敏度MEMS湿度计及其制造方法

本发明提供了一种高灵敏度MEMS湿度计及其制造方法，涉及微机电系统和半导体芯片制造工艺技术领域。湿度计包括依次层叠的支撑基底层、绝缘层、金属屏蔽层、第一钝化层、电介质层、电极层和第二钝化层，以及填充于电介质层内和电极层内并将第一钝化层、电介质层、电极层和第二钝化层覆盖的传感层；传感层通过感湿材料填充于电介质层和电极层的空隙内，用于湿度传感。本发明在电极层下方设置了一层金属屏蔽层，隔离了其下方的寄生电容干扰，并在金属屏蔽层和电极层之间填充湿度敏感材料形成额外的湿度传感层，将该区域的寄生电容转化为传感电容，大大提升了传感器的灵敏度。且本发明所涉及工艺及材料均为CMOS工艺中常用工艺和材料，对CMOS工艺兼容度高。