用于芯片多物理场仿真的高阶多尺度有限元方法及系统

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用于芯片多物理场仿真的高阶多尺度有限元方法及系统
申请号:CN202510152166
申请日期:2025-02-12
公开号:CN119623208B
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于芯片多物理场仿真的高阶多尺度有限元方法及系统。该方法将所设计的芯片模型嵌入在规则的粗背景网格中,嵌入式仿真会带来切割单元造成数值不稳定的问题。为此,本发明基于边界插值函数对粗单元的病态粗节点进行判断;进一步,本发明通过移除病态边界插值函数构建缩减粗单元,保证了良好的条件数。从而在粗背景网格上构建了能够反映内部材料分布的数值形函数用于后续仿真。在保持求解精度的前提下降低了计算成本,提高了嵌入式仿真的数值稳定性,在超大规模边界复杂结构仿真中具有巨大的潜力。适用于静力学、动力学、热场等多个仿真领域,在静力学和热场仿真验证了其数值稳定性、仿真精度和计算效率优势。
技术关键词
多尺度有限元方法 节点 矩阵 内部材料 数值 网格 计算机可执行指令 仿真芯片 结构仿真 物理 模块 超大规模 切割单元 仿真系统 处理器 可读存储介质 载荷 关系
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