一种集成忆阻器开关阵列的硅转接板结构及其制备方法

本发明公开了一种集成忆阻器开关阵列的硅转接板结构及其制备方法，属于先进封装集成芯片技术领域，方法：在硅转接板的表面沉积保护层；在保护层表面制备忆阻器底电极；在底电极上制备忆阻器功能层，在忆阻器功能层上制备忆阻器顶电极；制备互连绝缘层，制备互连开口；在互连开口上沉积种子层，制备互连布线。本发明在硅转接板内集成忆阻器的开关阵列，使得在硅转接板制备完成后，或者芯粒与硅转接板集成后，通过对忆阻器施加电压，改变其阻态，进而控制互连线路的导通与断开，改变芯粒集成中的互连电路网络，有利于实现集成芯片功能的切换。