基于单片式FBAR谐振器阵列的压控振荡器及制备方法

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基于单片式FBAR谐振器阵列的压控振荡器及制备方法
申请号:CN202510157679
申请日期:2025-02-13
公开号:CN120150658A
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于单片式FBAR谐振器阵列的压控振荡器及制备方法,各压控振荡子模块的FBAR谐振器单元采用上下垂直堆叠的形式并共用硅基底形成单片式FBAR谐振器阵列,各FBAR谐振器单元之间由空腔间隔,通过独立电极引出后与位于结构底部的IC芯片连接,提高了集成度、空间利用率并减小了寄生效应,提高了振荡器的稳定性并实现了宽频带的功能。通过select开关阵列,控制模块向选通的一个驱动模块的尾电流源提供偏置电流,完成各谐振器交替工作并降低相互干扰,从而增大压控振荡器的调谐范围。控制模块还用于向调谐模块的可调电容提供与温度无关的偏置电压VT,有效减小频率随温度的漂移,使压控振荡器的频率更加稳定。
技术关键词
谐振器单元 FBAR谐振器 振荡器 可调电容 调谐模块 机械抛光工艺 气相沉积工艺 单片 子模块 开关阵列 降噪模块 控制模块 开关电容阵列 运算放大器 电阻 IC芯片 相位噪声优化 三明治结构
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