摘要
本发明公开了一种基于单片式FBAR谐振器阵列的压控振荡器及制备方法,各压控振荡子模块的FBAR谐振器单元采用上下垂直堆叠的形式并共用硅基底形成单片式FBAR谐振器阵列,各FBAR谐振器单元之间由空腔间隔,通过独立电极引出后与位于结构底部的IC芯片连接,提高了集成度、空间利用率并减小了寄生效应,提高了振荡器的稳定性并实现了宽频带的功能。通过select开关阵列,控制模块向选通的一个驱动模块的尾电流源提供偏置电流,完成各谐振器交替工作并降低相互干扰,从而增大压控振荡器的调谐范围。控制模块还用于向调谐模块的可调电容提供与温度无关的偏置电压VT,有效减小频率随温度的漂移,使压控振荡器的频率更加稳定。
技术关键词
谐振器单元
FBAR谐振器
振荡器
可调电容
调谐模块
机械抛光工艺
气相沉积工艺
单片
子模块
开关阵列
降噪模块
控制模块
开关电容阵列
运算放大器
电阻
IC芯片
相位噪声优化
三明治结构
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控制芯片
调校方法
温漂
电路仿真
高精度片上振荡器