边缘Ai芯片多层存储单元垂直互联封装方法和装置

本发明涉及一种用于边缘AI芯片多层存储单元的垂直互联封装方法及装置。方法包括以下步骤：首先，获取边缘AI芯片的多层存储单元的初始封装参数，确保所述封装参数包含与垂直互联相关的物理属性。随后，通过构建多层存储单元的垂直互联模型，结合每个存储单元的封装参数，生成各层之间的连接结构。接着，基于生成的连接结构，对存储单元间的导通结构进行分区划分，从而得到多个独立的传输通道。再采用自动布线算法对这些传输通道的信号布局进行优化，以确定信号在各路线中的布局方式，并依据该布局方式调整封装参数，最终完成边缘AI芯片多层存储单元的垂直互联封装。该发明不仅提高了封装精度，还有效增强了信号传输的稳定性和抗干扰性能。