800G单纤双向硅光芯片、器件及工作点电压控制方法

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800G单纤双向硅光芯片、器件及工作点电压控制方法
申请号:CN202510164919
申请日期:2025-02-14
公开号:CN119960126A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种800G单纤双向硅光芯片、器件及工作点电压控制方法,涉及芯片制造领域,硅光芯片包括集成在硅光芯片内部的四个不同单波波长200G的发射机和四个不同单波波长200G的接收机,所述发射机和接收机的光信号通过微环谐振器和芯片I/O COM波导耦合,所述芯片I/O COM波导通过外部光纤对外传输单纤双向800G的光信号。利用四个不同波长的单波200G发射极和接收机构成的调制器和微环形谐振器构建光子集成回路,通过将外部激光器连接的外部光纤混合集成到光子集成回路提供光源,实现芯片在单纤双向800G光信号的传输功能。
技术关键词
微环谐振器 硅光芯片 工作点 背光探测器 接收机 波导 发射机 MZM调制器 热电控制器 电压控制方法 光子集成回路 光电流 电阻 高频封装 加热 波长 光源 IC芯片
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