碳化硅MOS驱动控制芯片过流保护方法及装置

本发明提供了一种碳化硅MOS驱动控制芯片过流保护方法及装置，该方法包括：通过在源极采样电阻设置正向采样通道和反向采样通道，为不同采样通道设置差异化的采样时间窗口，通过对双采样通道的时间窗口进行错峰设置，可避开共模干扰最强的时间段；同时，通过将碳化硅MOS器件的开关速度映射为理论共模干扰波形，利用该波形与双向采样信号进行合成处理，可准确分离出采样信号中的共模干扰分量，使得合成后的电流信号更加准确；在此基础上，结合结温变化导致的导通电阻变化对电流信号进行补偿，并采用分级保护策略进行过流保护。本方法通过采样通道时间上的错峰设计和基于开关速度的共模干扰分离，有效克服了共模干扰对电流采样的影响。