一种PI半导体材料在压力传感器中的应用及压力传感器

本发明涉及压力传感器技术领域，具体涉及一种PI半导体材料在压力传感器中的应用及压力传感器，由于PI半导体材料具有压阻效应且玻璃化转变温度高，能耐高温高湿高酸环境，将PI半导体材料作为压力敏感元件制得的压力传感器具有长期稳定性好，适用于高温高湿高酸环境。且PI半导体材料的柔韧性好，厚度薄，便于贴附在基材或部件的表面作为压力敏感元件，具有很好的应用前景。另外，本发明的一种压力传感器，包括由PI半导体材料制得的PI半导体膜片、设置于PI半导体膜片的表面的压力感应电路、以及与压力感应电路电性连接的CPU芯片。该压力传感器具有长期稳定性好，适用于高温高湿高酸环境，且生产成本低，精度高，反应快的优点。