一种有机半导体晶体管输出特性仿真模型的建立方法

一种有机半导体晶体管输出特性仿真模型的建立方法,本发明涉及半导体器件领域，具体涉及有机半导体晶体管输出特性仿真模型的建立方法。本发明的目的是为了解决现有有机半导体晶体管输出特性仿真模型考虑因素有限，导致构建的仿真模型准确率低，获得的电流‑电压输出特性曲线准确率低的问题。过程为：步骤一、计算随栅源电压VGS变化的流动性经验参数γ；步骤二、计算随栅源电压VGS变化的载流子迁移率特征参数VAA；步骤三、计算饱和调制参数αs；步骤四、计算拐点区域的锐度参数m；步骤五、计算晶体管沟道电导率gch；步骤六、计算载流子迁移率μ；步骤七、基于γ、VAA、αs、m、gch、μ，构建电流‑电压输出特性曲线模型。