一种基于八梁结构的高g值MEMS加速度传感器芯片

本发明涉及一种基于八梁结构的高g值MEMS加速度传感器芯片。解决了现有加速度计不能同时满足高g值、高灵敏度等特性，提供了一种具有八梁结构的压阻式MEMS高g值加速度传感器。该八梁结构的压阻式加速度传感器，包括固定于玻璃底板上的硅基框架、悬臂梁、以及通过悬臂梁悬挂于硅基框架中央的质量块，悬臂梁上设有构成惠斯通电桥的压敏电阻，硅基框架的厚度、悬臂梁的厚度和质量块的厚度相等。本发明结构合理、简单，同时具有良好的抗过载能力等特性要求，避免了在恶劣冲击环境下失效的问题；且采用等厚设计，制作工艺比较简单，适用于高量程的加速度传感器。