一种正向导通压降为正温度特性的FRD工艺控制方法

本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体为一种正向导通压降为正温度特性的FRD工艺控制方法，包括以下步骤：S1、环基区工艺、S2、截止环工艺、S3、接触孔工艺、S4、铂溅射、S5、铂金掺杂失效抑制工艺、S6、金属化、S7、辐照处理、S8、背面减薄、S9、背金工艺，通过精确控制工艺步骤，特别是硼离子的注入剂量、铂金层的扩散条件以及电子辐照的综合应用，该方法能够确保FRD具有正向导通压降近似零温度或者正温度特性的优化表现，这种特性使得二极管在工作温度升高时，其正向导通压降能够保持在一个相对稳定的范围内，也可以随温度升高而提高，从而提高了并联器件的电流传导能力和热稳定性。