摘要
本申请涉及一种用于光刻对准的光栅标记及其对准方法,其中,该标记包括:晶圆对准标记和掩膜对准标记。该方法包括:分别在晶圆和掩膜上刻蚀晶圆对准标记和掩膜对准标记;通过对准光源同时照射晶圆标记和掩膜标记,其衍射光干涉生成正方形莫尔条纹图;利用计算机对莫尔条纹图外轮廓进行预处理,以实现粗对准;通过2D‑FFT提取莫尔条纹的相位信息,并采用强度方程解包裹算法计算绝对相位;根据莫尔条纹的相位差计算晶圆与掩膜之间的实际错位量;将该错位量输入位移台实现反馈调整,直至实现高精度对准。本发明通过单组中心对称标记以及其对准方法即可实现光刻对准中多自由度的精对准,大幅减少晶圆有效面积的占用,显著提高光刻效率和对准精度。
技术关键词
晶圆对准标记
光刻对准方法
条纹
错位
光栅
间距
线条
光刻机
图像处理方式
强度
位移台
图像处理算法
刻蚀掩膜
中心对称
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