闪存芯片测试方法

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闪存芯片测试方法
申请号:CN202510182026
申请日期:2025-02-18
公开号:CN120089180B
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种闪存芯片测试方法,该方法包括:提供多个闪存芯片;在常规功能测试前对多个闪存芯片进行第一擦除操作时的动态功耗测试,得到对应各闪存芯片的第一功耗值;对通过常规功能测试后的闪存芯片进行第二擦除操作时的动态功耗测试,得到对应各闪存芯片的第二功耗值;根据第一功耗值和第二功耗值计算各闪存芯片的功耗变化值;根据多个闪存芯片的功耗变化值进行离群统计,确定离群闪存芯片;剔除离群闪存芯片。利用本申请方案可以有效提升闪存芯片的可靠性,降低有潜在问题尤其是电荷泵漏电的闪存芯片流入终端市场,进而造成终端失效的风险。
技术关键词
闪存芯片测试方法 功耗 存储单元阵列 分栅式闪存单元 存储结构 动态 隧穿氧化层 位线 电荷泵 电源 衬底 电压 终端 电流 编程 逻辑 矩阵
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