CSP器件及其制备方法、发光阵列结构

本发明提供了一种CSP器件及其制备方法、发光阵列结构，由于出光面的边缘位置超出接触面的边缘位置，光转换层的剖面为倒梯形，且面积更大的出光面朝上贴装于LED芯片表面，结合干法刻蚀则可以去除出光面的反射层，且由于出光面的投影面积大于CSP器件中的其他任何结构，在干法刻蚀过程中形成自掩膜效应，仅仅精确地去除出光面上的反射层，有效保护了CSP器件中的其他表面，使得干法刻蚀工艺对除出光面以外的其他表面上的反射层不造成任何影响，尤其是对光转换层侧壁的反射层不造成任何影响；同时，整个制备过程中无需进行研磨，有效简化了封装工艺，避免研磨带来的产品不良问题。