半导体膜沉积控制方法及系统

本发明提供了半导体膜沉积控制方法及系统，控制方法包括：使用干法清洗工艺去除工艺腔室内的附着膜，补偿沉积半导体膜补偿层，用来补偿干法清洗之后的腔室温度变化引起的下一步常规沉积阶段的半导体膜膜厚变化，在补偿沉积半导体膜补偿层之后，进入常规沉积阶段，基于目标膜厚在半导体膜补偿层上沉积半导体膜。过在常规沉积阶段之前采用动态补偿沉积机制，对干法清洗之后腔室温度上升导致的半导体膜膜厚变化进行事先补偿，补偿后续半导体膜的成膜时间，确保温度上升的过渡期间的膜厚稳定性。该膜厚补偿机制根据温度与膜厚的负相关关系，动态补偿膜厚变化，从而实现膜厚控制，提高产品一致性和良率。