晶圆级封装热电堆红外阵列芯片及其制备方法

本发明提供一种晶圆级封装热电堆红外阵列芯片及其制备方法。所述方法包括如下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆表面包括至少一个热电堆芯片；将所述器件晶圆的正面覆盖一封装层，形成封装结构；在所述器件晶圆的背面与所述热电堆芯片的热电堆对应的位置形成聚光结构。上述技术方案能够在晶圆级尺寸下实施封装工艺，提高了热电堆红外阵列芯片的封装效率，降低了工艺成本。