一种LED芯片及其制造方法

本申请实施例提供了一种LED芯片及其制造方法，包括：衬底、第一反射层、第一电极、外延结构层、第二反射层和第二电极，第一反射层中设置有第一类型欧姆接触；外延结构层具有倾斜侧壁；第二电极具有第一镂空区域，第一镂空区域可以用于实现LED芯片的光线仅从该第一镂空区域进行出射，实现LED芯片的小角度出光；第一类型欧姆接触在第二电极所在表面上的正投影位于第一镂空区域中，以使得电子空穴复合区域位于第一镂空区域。通过控制第一类型欧姆接触的位置，将其设置在第一镂空区域中，从而控制电子空穴复合区域的位置，实现电子空穴复合区域和出光的第一镂空区域重叠，从而提高从第一镂空区域出光的有效发射光功率，进而实现LED芯片的高功率。