一种集成电路最差性能处理方法

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一种集成电路最差性能处理方法
申请号:CN202510198642
申请日期:2025-02-24
公开号:CN119670661B
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
本申请公开了本申请提出了一种集成电路最差性能处理方法,涉集成电路领域,包括:采用修正的正态分布累积分布函数CDF来描述失效率与电路性能之间的非线性,引入偏斜度参数和峰度参数;对采样点进行权重计算,突出失效边界附近的重要样本,并在局部区域内采用加权最小二乘回归构建局部线性模型。在全局尺度上,通过对采样矩阵进行对数变换,将特征分布从非线性转化为近似线性,并采用正交匹配追踪算法构建稀疏的全局线性模型,提高了模型的泛化能力和解释性。最后,该方法以修正高斯函数计算的6σ处电路性能预测值为目标,根据最差性能点的位置,灵活选择全局或局部线性模型作为约束条件,迭代求解最优解,有效平衡了估计精度和计算效率。
技术关键词
集成电路 累积分布函数 加权最小二乘 基追踪算法 匹配追踪算法 回归方法 正则化参数 矩阵 非线性 样本 氧化层 采样点 变量 数据 元素 精度
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