一种转角约瑟夫森结阵列芯片及其制备方法

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一种转角约瑟夫森结阵列芯片及其制备方法
申请号:CN202510201286
申请日期:2025-02-24
公开号:CN120265109A
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明属于约瑟夫森量子电压技术领域,具体公开了一种转角约瑟夫森结阵列芯片,包括若干转角约瑟夫森结单元,转角约瑟夫森结单元包括下超导层、上超导层,下超导层包括依次一体连接的第一超导部分、第一超导线和第二超导部分,上超导层包括依次一体连接的第三超导部分、第二超导线和第四超导部分,第二超导部分与所述第三超导部分层叠设置形成转角约瑟夫森结,第一超导部分与相邻所述转角约瑟夫森结单元中的第四超导部分层叠贴合设置形成另一个所述转角约瑟夫森结。本发明在结构上极大的简化了集成工艺,应用于量子电压基准具有小型化和便携化,便于本地实现量子电压标准,实现电压实时校准,电压相对不确定度可以达到10‑8甚至更低。
技术关键词
约瑟夫森结阵列 超导单晶薄膜 基片 薄片 高温超导薄膜 微纳米 芯片 层叠 超导线 电压 电极 薄膜材料 离子束 机械 臭氧 校准 氧气 基准 方形
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