一种射频SOI芯片的封装方法

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一种射频SOI芯片的封装方法
申请号:CN202510201928
申请日期:2025-02-24
公开号:CN120056359A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种射频SOI芯片的封装方法,涉及芯片封装技术领域,本发明,在封装过程中通过传感器阵列和GPU并行线程处理器,对封装数据进行实时监测和分析,边缘检测算法和热梯度计算结合,识别翘曲程度和应力集中区域,生成的形变模型动态反映封装过程中的形变分布,其次综合形变模型、工艺参数和历史封装数据,补偿算法动态生成多种补偿策略,并对其进行模拟和评估,从中选择最优方案,显著提升封装稳定性和适应性,根据补偿策略,动态调整注塑模具的位置、冷却液流量以及工艺参数,此外,传感器持续采集补偿后的封装状态,通过误差评估修正形变模型和补偿算法参数,调整封装过程,不仅提高了封装质量和可靠性,还实现形变的动态管理。
技术关键词
SOI芯片 封装方法 补偿算法 策略 边缘检测算法 调节工艺参数 射频 传感器阵列 冷却液 封装设备 温度分布图像 注塑模 芯片封装技术 动态 综合边缘 模具 应力 处理器 封装工艺
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