一种非晶金属氧化物薄膜晶体管漏极电流特性建模方法

本发明涉及半导体器件建模技术领域，具体涉及一种非晶金属氧化物薄膜晶体管漏极电流特性建模方法，先建立晶体管几何剖面结构并设置端口偏压；接着通过分区域求解法，得出亚阈值区源端和漏端静电势，进而算出亚阈值区漏极电流；再通过分区域求解泊松方程，获得积累区源区和漏区静电势，算出积累区沟道电流；然后利用平滑函数，构建适用于整个工作区域的通用沟道电流表达式；最后用Verilog‑A语言编译，得到与主流电路仿真器兼容的标准电路仿真模型。经数值仿真和实验验证，本发明所建模型物理概念清晰、精度高、计算速度快、收敛性好且全工作区域连续，对非晶金属氧化物薄膜晶体管的研究、性能优化及电路设计仿真意义重大。