半导体器件化学气相沉积成膜厚度的控制系统及控制方法

本发明提供半导体器件化学气相沉积成膜厚度的控制系统及控制方法，控制系统包括反应炉，用以对其内部的晶圆进行化学气相沉积处理；以及控制装置，用以在反应炉内，对晶圆进行化学气相沉积处理的成膜速度、成膜时间进行设定；椭扁仪，用以对晶圆经过化学气相沉积处理后的成膜厚度进行量测；以及计算装置，用以在初始成膜速度、初始成膜时间下，反应炉对当前多批次晶圆进行化学气相沉积处理后，获取椭扁仪对当前多批次晶圆量测的成膜厚度，并对当前多批次晶圆的成膜厚度及其对应的芯片密度进行统计。本发明可准确了解晶圆在化学气相沉积处理后的负载效应，从而能够有效提升晶圆表面的成膜质量与可靠度。