一种无损直接检测光刻胶关键尺寸的方法及系统

本申请属于光刻胶关键尺寸检测技术领域，更具体地，涉及一种无损直接检测光刻胶关键尺寸的方法及系统。本发明利用AIE分子在稀溶液状态下几乎不发光但是与靶向目标物结合会发射强荧光的行为，对含有靶向目标物的光刻胶进行超分辨定位成像，从而获得高分辨率的图像。与传统的CD‑SEM技术相比，该方法具有显著的优势：首先，它不会对样品造成损伤，因为AIE探针的使用不依赖于电子束；其次，结合超分辨成像技术，实现了对光刻胶的高分辨率成像，提高了检测的准确性和可靠性。因此，本发明提出的这种方法为光刻胶关键尺寸检测提供了一种有效且非破坏性的解决方案，具有广泛的应用前景和市场潜力。